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        SIR422DP-T1-GE3

        发布时间:2019/6/9 22:35:00 访问次数:51 发布企业:西旗科技(深圳)亚博竞猜lol赛事竞猜





        产品描述:SIR422DP-T1-GE3

        N沟道40V(D-S)MOSFET


        产品特征:SIR422DP-T1-GE3

        •无卤素符合IEC61249-2-21

        定义

        •TrenchFET®功率MOSFET

        •100%Rg测试

        •100%UIS经过测试

        •符合RoHS指令2002/95/EC


        应用:SIR422DP-T1-GE3

        •POL

        •同步整流

        制造商 VishaySiliconix 制造商零件编号 SIR422DP-T1-GE3 描述 MOSFETN-CH40V40APPAKSO-8 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 12周 详细描述 表面贴装-N-沟道-pval-2068-40A(Tc)-5W(Ta)-34.7W(Tc)-PowerPAK®-SO-8

        一般信息

        数据列表 SIR422DP;
        标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 TrenchFET®


        规格

        FET类型 N沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 40V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 40A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 6.6毫欧@20A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 48nC@10V Vgs(最大值) ±20V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1785pF@20V FET功能 - 功率耗散(最大值) 5W(Ta),34.7W(Tc) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 lol投注商器件封装 PowerPAK®SO-8 封装/外壳 PowerPAK®SO-8

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