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        FZ1500R33HE3

        发布时间:2019/6/9 23:29:00 访问次数:51 发布企业:深圳市明烽威电子亚博竞猜lol赛事竞猜

        FZ1500R33HE3

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        FZ1500R33HE3

        半导体 分立半导体 晶体管 IGBT 模块 Infineon Technologies FZ1500R33HE3
        制造商: Infineon
        产品种类: IGBT 模块
        封装: Tray
        商标: Infineon Technologies
        CNHTS: 8541290000
        HTS代码: 8541290095
        MXHTS: 85412999
        产品类型: IGBT Modules
        工厂包装数量: 1
        子类别: IGBTs
        TARIC: 8541290000
        零件号别名: FZ1500R33HE3BPSA1
        FZ1500R33HE3中文资料
        功能描述:IGBT 模块 IGBT 3300V 1500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules

        配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A

        栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM

        FZ1500R33HE3

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        半导体 分立半导体 晶体管 IGBT 模块 Infineon Technologies FZ1500R33HE3
        制造商: Infineon
        产品种类: IGBT 模块
        封装: Tray
        商标: Infineon Technologies
        CNHTS: 8541290000
        HTS代码: 8541290095
        MXHTS: 85412999
        产品类型: IGBT Modules
        工厂包装数量: 1
        子类别: IGBTs
        TARIC: 8541290000
        零件号别名: FZ1500R33HE3BPSA1
        FZ1500R33HE3中文资料
        功能描述:IGBT 模块 IGBT 3300V 1500A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules

        配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A

        栅极—射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM


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