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        F3L100R07W2E3

        发布时间:2019/6/9 23:30:00 访问次数:46 发布企业:深圳市明烽威电子亚博竞猜lol赛事竞猜

        F3L100R07W2E3

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        F3L100R07W2E3中文资料
        功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules

        配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极

        —射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
        F3L100R07W2E3_B11
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        制造商: Infineon
        产品种类: IGBT 模块
        RoHS: 详细信息
        封装: Tray
        商标: Infineon Technologies
        CNHTS: 8541290000
        HTS代码: 8541290095
        MXHTS: 85412999
        产品类型: IGBT Modules
        工厂包装数量: 15
        子类别: IGBTs
        TARIC: 8541290000
        零件号别名: F3L100R07W2E3

        F3L100R07W2E3中文资料
        功能描述:IGBT 模块 IGBT MODULES 650V 100A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules

        配置:Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极

        —射极漏泄电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
        F3L100R07W2E3_B11
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        制造商: Infineon
        产品种类: IGBT 模块
        RoHS: 详细信息
        封装: Tray
        商标: Infineon Technologies
        CNHTS: 8541290000
        HTS代码: 8541290095
        MXHTS: 85412999
        产品类型: IGBT Modules
        工厂包装数量: 15
        子类别: IGBTs
        TARIC: 8541290000
        零件号别名: F3L100R07W2E3

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