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        FF200R12KT4

        发布时间:2019/6/9 23:31:00 访问次数:48 发布企业:深圳市明烽威电子亚博竞猜lol赛事竞猜

        FF200R12KT4

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        FF200R12KT4

        FF200R12KT4中文资料
        功能描述:IGBT 模块 N-CH 1.2KV 320A RoHS:否 制造商:Infineon Technologies 产品:IGBT Silicon Modules 配置:Dual

        集电极—发射极最大电压 VCEO:600 V 集电极—射极饱和电压:1.95 V 在25 C的连续集电极电流:230 A 栅极—射极漏泄

        电流:400 nA 功率耗散:445 W 最大工作温度:+ 125 C 封装/箱体:34MM
        制造商: Infineon
        产品种类: IGBT 模块
        RoHS: 详细信息
        产品: IGBT Silicon Modules
        配置: Dual
        集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V
        在25 C的连续集电极电流: 320 A
        封装 / 箱体: 62 mm
        最小工作温度: - 40 C
        最大工作温度: + 150 C
        封装: Tray
        高度: 30.5 mm
        长度: 106.4 mm
        宽度: 61.4 mm
        商标: Infineon Technologies
        安装风格: Chassis Mount
        CNHTS: 8541290000
        HTS代码: 8541290095
        栅极/发射极最大电压: +/- 20 V
        MXHTS: 85412999
        产品类型: IGBT Modules
        工厂包装数量: 10
        子类别: IGBTs
        TARIC: 8541290000
        零件号别名: FF200R12KT4
        单位重量: 340 g
        半导体 分立半导体 晶体管 IGBT 模块 Infineon Technologies FF200R12KT4
        FF200R12KT4

        FF200R12KT4

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