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        SCT3120ALHRC11第三代汽车级SiCMOSFET

        发布时间:2019/6/10 17:27:00 访问次数:48 发布企业:深圳市和谐世家电子亚博竞猜lol赛事竞猜

        第三代汽车级SiC MOSFET ROHM符合AEC-Q101标准的MOSFET采用沟槽栅极结构

        瑞萨第三代汽车级SiC MOSFET的图片增加了十个汽车级SiC MOSFET,为汽车车载充电器和DC / DC转换器提供了高可靠性。

        为了响应近年来不断增长的环保意识和不断上涨的燃料成本,越来越多的汽车制造商正在提供电动汽车。然而,尽管电动汽车越来越普及,但它们相对较短的行驶里程仍然存在问题。为了改善其行驶距离,电池趋向于更大的电池容量和更短的充电时间。这需要高功率和高效率的车载充电器,如11 kW和22 kW,从而提高了SiC MOSFET的使用率。此外,更高电压的电池(800 V)需要具有低损耗和更高耐压的功率器件。

        为了满足这些需求,ROHM在其采用沟槽栅极结构的符合AEC-Q101标准的MOSFET系列中增加了十种型号。结果是大型产品组合,提供650 V和1200 V两种型号。

        特征 工作温度范围:-55°C至+ 175°C 符合AEC-Q101标准 提供650 VDS或1200 VDS 导通电阻:17mΩ至160mΩ(典型值) 符合RoHS标准

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