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        AO6401

        发布时间:2019/6/10 20:29:00 访问次数:51 发布企业:西旗科技(深圳)亚博竞猜lol赛事竞猜






        产品描述:AO6401

        AO6401采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和栅极工作电压低至2.5V。该设备适合用作负载开关或PWM应用。


        生命周期:AO6401

        量产

        欧盟RoHS

        欧盟RoHS版本

        2011/65/EU

        零件编号代码

        查看

        描述

        TransMOSFETP-CH30V5A6引脚TSOP

        分类

        二极管,晶体管和晶闸管>FET晶体管>MOSFET

        lol投注商笼子代码

        6USE7

        组态

        单四极管漏极

        类别

        功率MOSFET

        频道模式

        增强

        频道类型

        P

        每个芯片的元素数量

        1

        最大漏极源电压

        30V

        最大栅极源电压

        ±12V

        最大连续漏极电流

        5A

        最大漏极源电阻

        47@10VmOhm

        典型的栅极电荷@Vgs

        7@4.5V|14@10VnC

        典型的栅极电荷@10V

        14nC

        典型输入电容@Vds

        645@15VpF

        最大功耗

        2000MW

        最低工作温度

        -55°C

        最高工作温度

        150℃

        lol投注商包装

        TSOP

        铅形状

        鸥翼

        针数

        6

        PCB

        6

        包装长度(mm)

        2.9

        包装宽度(mm)

        1.6

        包装高度(mm)

        1.1

        坐式平面高度(mm)

        1.25(最大)

        针距(mm)

        0.95

        包装材料

        塑料

        安装

        表面贴装

        封装外形

        下载PDF文档

        制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc. 制造商零件编号 AO6401 描述 MOSFETP-CH30V5A6TSOP 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 26周 详细描述 表面贴装-P-沟道-pval-2068-5A(Ta)-2W(Ta)-6-TSOP 一般信息 数据列表 AO6401A;
        TSOP6PkgDrawing;
        标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 -
        规格 FET类型 P沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 5A(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 2.5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 44毫欧@5A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1.5V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 13nC@4.5V Vgs(最大值) ±12V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1180pF@15V FET功能 - 功率耗散(最大值) 2W(Ta) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 lol投注商器件封装 6-TSOP 封装/外壳 SC-74,SOT-457

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