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        AO4485

        发布时间:2019/6/10 20:30:00 访问次数:47 发布企业:西旗科技(深圳)亚博竞猜lol赛事竞猜






        产品描述:AO4485

        AO4485采用先进的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON)。这个该装置适合用作DC-DC转换器

        应用。


        生命周期:AO4485

        量产

        欧盟RoHS

        欧盟RoHS版本

        2011/65/EU,2015/863

        零件编号代码

        查看

        描述

        TransMOSFETP-CH40V10A8引脚SOICT/R.

        分类

        二极管,晶体管和晶闸管>FET晶体管>MOSFET

        产品面世日期

        2008-05-0500:00:00

        ECCN

        EAR99

        lol投注商笼子代码

        6USE7

        HTSUSA

        8541290095

        组态

        单四极管漏极三源

        类别

        功率MOSFET

        频道模式

        增强

        频道类型

        P

        每个芯片的元素数量

        1

        最大漏极源电压

        40V

        最大栅极源电压

        ±20V

        最大连续漏极电流

        10A

        最大门限阈值电压

        2.5V

        最大漏极源电阻

        15@10VmOhm

        典型的栅极电荷@Vgs

        42@10V|18.6@4.5VnC

        典型的栅极电荷@10V

        42nC

        典型输入电容@Vds

        2500@20VpF

        最大功耗

        1700mW

        最低工作温度

        -55°C

        最高工作温度

        150℃

        基本包装类型

        引线框架SMT

        包裹姓氏

        SOP

        lol投注商包装

        SOIC

        包装说明

        小型IC

        铅形状

        鸥翼

        针数

        8

        PCB

        8

        包装长度(mm)

        4.9

        包装宽度(mm)

        3.9

        包装高度(mm)

        1.5

        坐式平面高度(mm)

        1.65

        针距(mm)

        1.27

        包装材料

        塑料

        安装

        表面贴装

        封装外形

        下载PDF文档

        JEDEC

        MS-012AA

        Jedec信息(PKG大纲)

        下载PDF文档

        MSL

        1

        最大回流温度(°C)

        260

        回流焊时间(秒)

        三十

        回流循环次数

        3

        标准

        J-STD-020D

        回流温度资源

        下载PDF文档

        铅涂层(电镀)

        哑光锡

        终端底座材料

        制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc. 制造商零件编号 AO4485 描述 MOSFETP-CH40V10A8SOIC 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 26周 详细描述 表面贴装-P-沟道-pval-2068-10A(Ta)-1.7W(Ta)-8-SOIC 一般信息 数据列表 AO4485Datasheet;
        标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 -
        规格 FET类型 P沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 40V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 10A(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 15毫欧@10A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 2.5V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 55nC@10V Vgs(最大值) ±20V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 3000pF@20V FET功能 - 功率耗散(最大值) 1.7W(Ta) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 lol投注商器件封装 8-SOIC 封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)

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