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        AOD407

        发布时间:2019/6/10 20:31:00 访问次数:50 发布企业:西旗科技(深圳)亚博竞猜lol赛事竞猜





        一般说明:AOD407

        P沟道增强模式场效应晶体管

        AOD407采用先进的沟槽技术提供出色的RDS(ON),低栅极电荷和低电压栅极电阻。具有优异的耐热性在DPAK封装中,该器件非常适合高电流负载应用。

        -RoHS兼容

        -无卤素*


        生命周期:AOD407

        量产

        欧盟RoHS

        是豁免

        欧盟RoHS版本

        2011/65/EU

        零件编号代码

        查看

        描述

        TransMOSFETP-CH60V12A3针(2+Tab)DPAKT/R.

        分类

        二极管,晶体管和晶闸管>FET晶体管>MOSFET

        产品面世日期

        2005-06-2200:00:00

        ECCN

        EAR99

        lol投注商笼子代码

        6USE7

        HTSUSA

        8541290095

        组态

        类别

        功率MOSFET

        频道模式

        增强

        频道类型

        P

        每个芯片的元素数量

        1

        最大漏极源电压

        60V

        最大栅极源电压

        ±20V

        最大连续漏极电流

        12A

        最大漏极源电阻

        115@10VmOhm

        典型的栅极电荷@Vgs

        15.8@10V|7.4@4.5VnC

        典型的栅极电荷@10V

        15.8nC

        典型输入电容@Vds

        987@30VpF

        最大功耗

        2500MW

        最低工作温度

        -55°C

        最高工作温度

        175℃

        包裹姓氏

        TO-252

        lol投注商包装

        DPAK

        包装说明

        DecaWatt套餐

        针数

        3

        PCB

        2

        耳片

        耳片

        包装长度(mm)

        6.6

        包装宽度(mm)

        6.1

        包装高度(mm)

        2.29

        针距(mm)

        2.29

        包装材料

        塑料

        安装

        表面贴装

        封装外形

        下载PDF文档

        MSL

        1

        最大回流温度(°C)

        260

        回流焊时间(秒)

        三十

        回流循环次数

        3

        标准

        J-STD-020D

        回流温度资源

        下载PDF文档

        铅涂层(电镀)

        哑光锡

        终端底座材料

        制造商 Alpha&OmegaSemiconductorInc. 制造商零件编号 AOD407 描述 MOSFETP-CH60V12ATO252 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 26周 详细描述 表面贴装-P-沟道-pval-2068-12A(Tc)-2.5W(Ta)-50W(Tc)-TO-252-(D-Pak) 一般信息 数据列表 AOD407;
        TO252(DPAK)PkgDrawing;
        标准包装 2,500 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 -
        规格 FET类型 P沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 60V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 12A(Tc) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 115毫欧@12A,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 20nC@10V Vgs(最大值) ±20V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 1185pF@30V FET功能 - 功率耗散(最大值) 2.5W(Ta),50W(Tc) 工作温度 -55°C~175°C(TJ) 安装类型 表面贴装 lol投注商器件封装 TO-252,(D-Pak) 封装/外壳 TO-252-3,DPak(2引线+接片),SC-63

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