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        IRLML5103TRPBF

        发布时间:2019/6/11 12:36:00 访问次数:37 发布企业:西旗科技(深圳)亚博竞猜lol赛事竞猜





        产品描述:IRLML5103TRPBF

        采用Micro3封装的-30V单P沟道HEXFET功率MOSFET



        产品优点:IRLML5103TRPBF

        •符合RoHS标准

        •低RDS(开启)

        •行业领先的质量

        •动态dv/dt评级

        •快速切换

        •完全雪崩额定值

        •175°C工作温度

        •P沟道MOSFET



        目标应用:IRLML5103TRPBF

        •直流开关

        •负载开关


        制造商 InfineonTechnologies 制造商零件编号 IRLML5103TRPBF 描述 MOSFETP-CH30V760MASOT-23 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 湿气敏感性等级(MSL) 1(无限) 原厂标准交货期 10周 详细描述 表面贴装-P-沟道-pval-2068-760mA(Ta)-540mW(Ta)-Micro3™-SOT-23

        一般信息

        数据列表 IRLML5103PbF;
        标准包装 3,000 包装 标准卷带 零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管-FET,MOSFET-单 系列 HEXFET®


        规格

        FET类型 P沟道 技术 MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss) 30V 电流-连续漏极(Id)(25°C时) 760mA(Ta) 驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V 不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值) 600毫欧@600mA,10V 不同Id时的Vgs(th)(最大值) 1V@250μA 不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值) 5.1nC@10V Vgs(最大值) ±20V 不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 75pF@25V FET功能 - 功率耗散(最大值) 540mW(Ta) 工作温度 -55°C~150°C(TJ) 安装类型 表面贴装 lol投注商器件封装 Micro3™/SOT-23 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

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